日前，记者从工信部等权威部门获悉，为推进《国家集成电路产业推进纲要》落地，我国将针对集成电路先进工艺和智能传感器创新能力不足等问题，出台一系列政策“组合拳”，加速多个重点关键产品和技术的攻关，以此促进我国集成电路产业的快速健康发展，并缩小我国集成电路产业和世界先进水平的差距。

据介绍，我国继续组织实施“芯火”创新计划，打造一批集成电路产业创新平台，推动技术、人才、资金、市场等产业要素集聚；推动建设智能传感器国家级创新中心建设，打造8英寸共性技术开发平台，攻克高深宽比加工技术、圆片级键合等关键技术；加快组建I C先进工艺国家级创新中心建设，攻关5纳米及以下工艺共性技术等；指导信息光电子创新中心落实建设方案，重点建设Ⅲ-Ⅴ族高端光电子芯片、硅光集成芯片、高速光器件测试封装等产品工艺平台，攻关400G硅光器件等关键技术；加快落实印刷及柔性显示创新中心建设方案，开展大尺寸印刷、量子点印刷等关键技术研发，实现样机开发研制；继续落实《国家集成电路产业推进纲要》，推动重点关键型号CPU、FPGA等重大破局性部署。

目前，各界对加速集成电路产业关键产品和技术攻关的呼声越来越高。近期，工信部就召开了重大短板装备座谈会，明确提出了通过推进重点工程，来提升集成电路、航空航天等重点产业的技术和发展水平。据知情专家介绍，集成电路领域后续产业政策将主要集中在集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装、封装设备及材料4个核心领域，涉及桌面CPU、嵌入式CPU、储存器等核心产品，以及光刻技术、多芯片封装等关键技术的生产和研发。一旦这些领域取得重大突破，我国集成电路产业发展，不但能够迈上新的台阶，还能大大缩小和国际先进水平之间的差距。

据国家制造强国建设战略咨询委员会制定的产业发展目标，到2020年我国集成电路产业与国际先进水平的差距将逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路涉及技术达到国际先进水平，16/ 14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路体系；到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，产业实现跨越式发展。

国家制造强国建设战略咨询委员会预测，随着关键产品和技术完成攻关和国产化，到“十三五”末，国产集成电路产品和技术的市场占有率有望提升30个百分点，产品和技术将满足约50%的国内市场需求，意味着国产集成电路产品和技术的销售收入将增长约500亿美元。

资料来源：新华网