■据新华社信息总部位于上海的中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布，中芯国际第一代Fi nFET（鳍式场效应晶体管）14纳米技术进入客户验证阶段。这也是目前中国大陆自主研发的最高端的芯片制造工艺技术。
据了解，14纳米集成电路制造工艺是指芯片内部电路与电路之间的距离是14纳米。更先进的制造工艺可以在相同面积的晶圆上制造出更多的芯片产品，降低成本，使芯片具有更多的功能以及更高的性能。在业界看来，随着中芯国际14纳米制造工艺步伐的加速推进，将缩小其和国际芯片大厂之间的距离。目前中国市场上交由海外代工的一些产品将有望回归国内代工。也有专家指出，虽然中芯国际14纳米制造工艺将于今年实现量产，但在集成电路制造领域本土企业与国际领先水平仍存在较大差距。近年来国内集成电路制造业投资火热，不过在先进制程技术上，国内企业仍普遍落后国际竞争对手。掌握先进的集成电路制造技术，对提升我国集成电路产业技术水平具有重要战略意义。
